|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIRCHILD
|
800
|
16.83
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIRCHILD
|
332
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
DC COMPONENTS
|
12 122
|
5.39
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
|
11
|
14.40
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
1
|
|
|
|
|
|
ЗП-16 |
|
|
|
139
|
139.24
|
|
|
|
КС147Г |
|
стекло
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
КС147Г |
|
стекло
|
|
181
|
120.75
|
|
|
|
КС147Г |
|
стекло
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КС147Г |
|
стекло
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС147Г |
|
стекло
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
КТ 503 В |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
6 349
|
7.00
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
3 640
|
15.92
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
8 862
|
16.00
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
1 636
|
16.00
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
91
|
13.77
|
|