|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
1 700
|
7.20
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
800
|
10.20
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
5 052
|
2.40
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
446
|
1.75
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
3 596
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
3 281
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
6 583
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
1 204 825
|
1.24
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
578 896
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KOME
|
10
|
2.09
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
374 875
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
JINGDAO
|
42 460
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
SEMTECH
|
5 172
|
1.58
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GOOD-ARK
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GOOD ARK
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
|
|
4.80
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
HOTTECH
|
16 800
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
KLS
|
16 000
|
1.33
|
|
|
|
BZX55C7V5 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=7.07.9V (7.5V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
YJ
|
22 440
|
1.07
|
|
|
|
LL4148 150MA 75V |
|
|
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
117.30
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
632
|
36.63
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
11 019
|
24.60
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
1
|
58.08
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
206
|
50.92
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
28 770
|
28.27
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
33 680
|
27.59
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж
|
MUR
|
|
|
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж
|
|
|
|
|
|
|
PVZ3A102C01R00 |
|
Резистор подстроечный 1кОм, SMD монтаж
|
MURATA
|
|
|
|