HIP9010AB SO20

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
SCSM-28 (2.54MM)	Панели для микросхем с цанговыми контактами шаг 2.54мм, контактов 28 в 2 ряда			53.72
SCSM-28 (2.54MM)	Панели для микросхем с цанговыми контактами шаг 2.54мм, контактов 28 в 2 ряда	CONNFLY
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		4	340.00
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS SEMI
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	КИТАЙ
STGB10NB37LZ	IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO
TDA7295	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x50W (2x30V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x80W	ST MICROELECTRONICS
TDA7295	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x50W (2x30V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x80W	MATSUSHITA
TDA7295	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x50W (2x30V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x80W			320.00
TDA7295	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x50W (2x30V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x80W	ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA7295	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x50W (2x30V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x80W	STMicroelectronics
TDA7295	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x50W (2x30V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x80W	ST MICROELECTRO
TDA7295	Усилитель низкой частоты DMOS, 2x50W (2x30V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x80W	STMICROELECTR
TLE4729G	Драйвер управления двигателем			373.84
TLE4729G	Драйвер управления двигателем	INFINEON
TLE4729G	Драйвер управления двигателем	INFINEON
TLE4729G	Драйвер управления двигателем	Infineon Technologies
TLE4729G	Драйвер управления двигателем	INFINEON TECH
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	576	526.93
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80