IRF5210PBF
Транзистор полевой P-канальный (Vds=100V, Id=40A@T=25C, Id=29A@T=100C)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 24A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 40A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2700pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HTS-310 | 26 345 | 3.72 | ||||||
| HTS-310 | 26 345 | 3.72 | ||||||
| HTS-310 | КИТАЙ |
|
|
|||||
| HTS-310 | RUICHI | 1 | 2.34 | |||||
 |
IRF540ZPBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 100V, 36A | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRF540ZPBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 100V, 36A |
|
227.52 | |||
|
|
IRF540ZPBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 100V, 36A | INFINEON | 2 441 | 108.03 | ||
|
|
IRF540ZPBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 100V, 36A | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
| MEB-100В-1МКФJ | HITANO |
|
|
|||||
| MJD32CT4G | MOTOROLA |
|
|
|||||
| MJD32CT4G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MJD32CT4G |
|
44.80 | ||||||
| MJD32CT4G | ONS | 909 | 57.06 | |||||
| MJD32CT4G | ON SEMICONDUCTOR | 28 |
|
|||||
| SH025M0680B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 25 В | YAGEO |
|
|
|||
| SH025M0680B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 25 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SH025M0680B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 25 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
