Полевой транзистор N-канальный |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.7A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V |
Power - Max | 2W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
Корпус | SOT-223 |
IRFL014PBF (MOSFET) Полевой транзистор N-канальный 60В, 2.7А, 3.1Вт
Производитель:
|
|