L-34SF7BT ИК-СВЕТОДИОД 850НМ. 50°. 45МВТ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MC74HC86ADR2G		ON SEMICONDUCTOR
MC74HC86ADR2G		ON SEMICONDUCTOR
MC74HC86ADR2G		ONS
MC74HC86ADR2G				85.48
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ON SEMICONDUCTOR
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц			63.88
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ONS
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ST MICROELECTR
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ST MICROELECTRONICS
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	STMICROELECTR
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	HOTTECH	726	40.06
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	KEC
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ZH
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	FAIRCHILD	12	19.53
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	KLS
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ZHONGDI
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	БРЯНСК	798	126.00
MJE13007	Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц	ISC	630	56.01
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	NEC
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	FAIR
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	PHILIPS
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SGS
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SIGNETICS
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTRONICS	532	43.35
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	UTC
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	FAIRCHILD
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SGS THOMSON
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SIGNETICS
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	STMicroelectronics
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	Fairchild Semiconductor
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...			21.28
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	HTC TAEJIN	800	21.65
NE555D	Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	HTC	971	19.42
NES-150-24		MEANWELL
NES-150-24		MW
NES-150-24		КИТАЙ
NES-150-24
NES-150-24		MEAN WELL
КТ315Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...		1 514	18.00
КТ315Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...	МИНСК

Р В РЎС›-3-1
Р В РЎСџР РЋР вЂљР В Р’ВµР В РўвЂР В Р вЂ¦Р В Р’В°Р В Р’В·Р В Р вЂ¦Р В Р’В°Р РЋРІР‚РЋР В Р’ВµР В Р вЂ¦Р РЋРІР‚в„– Р В РўвЂР В Р’В»Р РЋР РЏ Р РЋР вЂљР РЋРЎвЂњР РЋРІР‚РЋР В Р вЂ¦Р В РЎвЂўР В РІвЂћвЂ“ Р В РЎвЂќР В РЎвЂўР В РЎВР В РЎВР РЋРЎвЂњР РЋРІР‚С™Р В Р’В°Р РЋРІР‚В Р В РЎвЂР В РЎвЂ Р В Р вЂ¦Р В РЎвЂР В Р’В·Р В РЎвЂќР В РЎвЂўР В Р вЂ Р В РЎвЂўР В Р’В»Р РЋР Р‰Р РЋРІР‚С™Р В Р вЂ¦Р РЋРІР‚в„–Р РЋРІР‚В¦ Р РЋР РЉР В Р’В»Р В Р’ВµР В РЎвЂќР РЋРІР‚С™Р РЋР вЂљР В РЎвЂР РЋРІР‚РЋР В Р’ВµР РЋР С“Р В РЎвЂќР В РЎвЂР РЋРІР‚В¦ Р РЋРІР‚В Р В Р’ВµР В РЎвЂ”Р В Р’ВµР В РІвЂћвЂ“ Р В РЎВР В Р’В°Р В Р’В»Р В РЎвЂўР В РІвЂћвЂ“ Р В РЎВР В РЎвЂўР РЋРІР‚В°Р В Р вЂ¦Р В РЎвЂўР РЋР С“Р РЋРІР‚С™Р В РЎвЂ, Р В Р вЂ¦Р В Р’Вµ Р РЋРІР‚С™Р РЋР вЂљР В Р’ВµР В Р’В±Р РЋРЎвЂњР РЋР вЂ№Р РЋРІР‚В°Р В РЎвЂР РЋРІР‚В¦ Р РЋРІР‚РЋР В Р’В°Р РЋР С“Р РЋРІР‚С™Р В РЎвЂўР В РЎвЂ“Р В РЎвЂў Р В РЎвЂ”Р В Р’ВµР РЋР вЂљР В Р’ВµР В РЎвЂќР В Р’В»Р РЋР вЂ№Р РЋРІР‚РЋР В Р’ВµР В Р вЂ¦Р В РЎвЂР РЋР РЏ. Р В РЎСљР В Р’В°Р В РЎвЂ”Р РЋР вЂљР РЋР РЏР В Р’В¶Р В Р’ВµР В Р вЂ¦Р В РЎвЂР В Р’Вµ 250 Р В РІР‚в„ў Р В РЎС›Р В РЎвЂўР В РЎвЂќ 16 Р В РЎвЂ™ Р В РЎв„ўР В РЎвЂўР В Р вЂ¦...
115.20 Р РЋР вЂљР РЋРЎвЂњР В Р’В± Р В РЎв„ўР РЋРЎвЂњР В РЎвЂ”Р В РЎвЂР РЋРІР‚С™Р РЋР Р‰

IRFP260
N-Р В РЎвЂќР В Р’В°Р В Р вЂ¦Р В Р’В°Р В Р’В»Р РЋР Р‰Р В Р вЂ¦Р РЋРІР‚в„–Р В РІвЂћвЂ“ 200Р В РІР‚в„ў 49Р В РЎвЂ™
Р В РЎв„ўР РЋРЎвЂњР В РЎвЂ”Р В РЎвЂР РЋРІР‚С™Р РЋР Р‰

IXFK26N100P
Polar power mosfet hiperfet
Р В РЎв„ўР РЋРЎвЂњР В РЎвЂ”Р В РЎвЂР РЋРІР‚С™Р РЋР Р‰