SF14

Ультрабыстрый диод аксиальный 200В,1A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
SF14 (DC COMPONENTS)	800	12.24
SF14	412	9.60
SF14 (MIC)	15 995	2.63
SF14 (TY)	186	3.00
SF14 (KLS)	2	4.92
SF14 (YIXING)	4 800	1.52
SF14 T/B (DC COMPONENTS)	10 251	4.49
SF14-T (DIODES INC..)	2 024	3-4 недели Цена по запросу

Ультрабыстрый диод аксиальный
Напряжение пост. обратное / импульсное обратное 200В/ 240В
Ток прямой выпрямленный / импульсный 1A/30А
Напряжение прямое 0.95В
Время восстановления 0.035 мкс
Емкость 8пФ
Монтаж в отв. платы
Диапазон температур - 65 ... 150^оС

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HERxxx (Диоды и выпрямители)

High Efficiency and Super Fast Rectifiers

Также в этом файле: SF14

Производитель:
RFE International, Inc.
//www.rfeinc.com

SF14 datasheet
117.81Kb
1стр.

Синонимы от поставщиков: SF14 ; SF-14 ; SF 14 ; SF — 14 ; SF14 ; диод SF14 ;

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BF821		PHILIPS
BF821				8.52
BF821		NXP
BF821		NXP	10 435
BF821		PHILIPS	12 464
BF821		PHILIPS SEMIC
IRF640N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	102.00
IRF640N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...		1 351	84.48
IRF640N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	МЕКСИКА
IRF640N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INFINEON
IRF640N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	VBSEMI
IRF640N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	1
IRF640N	Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	EVVO	844	49.22
IRFB23N20D	Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB23N20D	Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом			260.00
IRFB23N20D	Силовой МOSFET транзистор с дискретным N-каналом	INFINEON
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	VISHAY
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIR
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	Vishay/Siliconix
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	КИТАЙ
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	ISIL
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	SILICONIX	19
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W			155.76
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	1
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера		447	29.92
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	МЕЗОН	288	57.07
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	ВОРОНЕЖ
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	RUS
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	АЗОН
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	МИКРОН
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	РОССИЯ

SF14

Ультрабыстрый диод аксиальный 200В,1A

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Диоды

С этим товаром покупают: