|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
|
|
108.00
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
2N5416 |
|
Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
533ЛА3 (К533ЛА3) |
|
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
|
13
|
404.80
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
ВОСХОД
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
НЗПП
|
4
|
576.00
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
ФОРМ МОСКВА
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
564ЛН2 |
|
6 логических НЕ с буферным выходом
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
|
|
66.84
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MINOS
|
1 113
|
24.65
|
|
|
|
КС191А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА
|
|
316
|
26.46
|
|
|
|
КС191А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КС191А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КС191А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС191А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА
|
СЗТП
|
82
|
37.80
|
|
|
|
КС191А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА
|
НЗПП
|
624
|
43.39
|
|
|
|
КС191А |
|
Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|