| Корпус (размер) | 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 8x10b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Размер памяти | 512 x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 8KB (8K x 8 + 256B) |
| Число вводов/выводов | 24 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Подключения | I²C, IrDA, LIN, SCI, SPI, UART/USART |
| Скорость | 16MHz |
| Размер ядра | 16-Bit |
| Процессор | RISC |
| Серия | MSP430 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
C0805C104K5RAC |
|
Конденсатор SMD 100нФ 0805 50В X7R 10%
|
KEMET
|
4 664
|
6.74
|
|
|
|
|
C0805C104K5RAC |
|
Конденсатор SMD 100нФ 0805 50В X7R 10%
|
|
|
|
|
|
|
|
C0805C104K5RAC |
|
Конденсатор SMD 100нФ 0805 50В X7R 10%
|
KEM
|
|
|
|
|
|
|
C0805C104K5RAC |
|
Конденсатор SMD 100нФ 0805 50В X7R 10%
|
|
|
|
|
|
|
|
C0805C104K5RAC |
|
Конденсатор SMD 100нФ 0805 50В X7R 10%
|
KEMET
|
|
|
|
 |
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
YAGEO
|
5 045 514
|
1.05
>500 шт. 0.35
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
|
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB104 |
|
Керамический неполярный ЧИП конденсатор 0.1мкф,Х7R,10%, 0805, 50В
|
YAGEO
|
20 644
|
|
|
|
|
|
GRM219R71H334KA88D |
|
Керамический конденсатор 0.33 мкФ 50 В
|
MUR
|
|
|
|
|
|
|
GRM219R71H334KA88D |
|
Керамический конденсатор 0.33 мкФ 50 В
|
|
|
12.00
|
|
|
|
|
GRM219R71H334KA88D |
|
Керамический конденсатор 0.33 мкФ 50 В
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
GRM219R71H334KA88D |
|
Керамический конденсатор 0.33 мкФ 50 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
GRM219R71H334KA88D |
|
Керамический конденсатор 0.33 мкФ 50 В
|
MURATA
|
5 848
|
4.86
|
|
|
|
 |
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
17.01
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
19.20
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
711 177
|
4.13
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
33 428
|
3.63
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
7 163
|
3.78
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
UMW
|
23 200
|
4.13
|
|
|
|
|
IRLML2502 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
547
|
3.69
|
|
|
|
|
MSP430F5510IPT |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
|
MSP430F5510IPT |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MSP430F5510IPT |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
MSP430F5510IPT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
454
|
|
|
Версия для печати
