IXTA3N120
Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор 1200В, 200Вт
|
Силовой MOSFET транзистор N-канальный
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1350pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | TO-263 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IXTA3N120 (MOSFET) High Voltage Power MOSFETs
Производитель:
|
