|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
24LC04BT-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 2x256x8
|
MICRO CHIP
|
3 341
|
28.02
|
|
|
|
24LC04BT-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 2x256x8
|
|
11
|
39.06
|
|
|
|
24LC04BT-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 2x256x8
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
24LC04BT-I/SN |
|
EEPROM ser 2,5V 2x256x8
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
|
22 860
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
KINGTRONICS
|
21 600
|
7.23
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
HOTTECH
|
166 447
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
NEX-NXP
|
16 000
|
4.13
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
1
|
|
|
|
|
|
BZV55C6V8 |
|
Стабилитрон SMD 0.5 Вт, 6.8 V
|
KUU
|
320
|
1.22
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
13.24
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
108 029
|
2.67
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KLS
|
1 256
|
5.20
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
59 040
|
6.94
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
17
|
4.34
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
|
|
85.76
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM1117T-ADJ |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
|
|
47.44
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
TEXAS
|
|
|
|