SI4435DDY-T1-GE3


Купить SI4435DDY-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI4435DDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SI4435DDY-T1-GE3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs24 mOhm @ 9.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C11.4A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1350pF @ 15V
Power - Max5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI4435DDY-T1-GE3 datasheet

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    PIC12F617-I/SN     MICRO CHIP Заказ радиодеталей цена радиодетали
    PIC12F617-I/SN     Microchip Technology Заказ радиодеталей цена радиодетали
    PIC12F617-I/SN     MICRO CHIP 25 цена радиодетали
    PIC12F617-I/SN       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    PIC12F617-I/SN       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    TPS2044BD     TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    TPS2044BD     TEXAS INSTRUMENTS 61 цена радиодетали
    TPS2044BD       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    TPS2044BD     TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход