SI1025X-T1-GE3
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
SI1025X-T1-GE3 (SILICONIX.) |
592 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики SI1025X-T1-GE3
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 190mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.7nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 23pF @ 25V |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-563 |
| Корпус | SC-89-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
