FR303

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FR303	9 800	4.94

Версия для печати

Технические характеристики FR303

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free by exemption / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.3V @ 3A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Current - Average Rectified (Io)	3A
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 200V
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	150ns
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	DO-201AD, Axial
Корпус	DO-201AD

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

10A05 (Диоды и выпрямители)

LEADED (THRU-HOLE) General Purpose and Fast Recovery Rectifiers

Также в этом файле: FR303

Производитель:
RFE International, Inc.
//www.rfeinc.com

FR303 datasheet
288.45Kb
1стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4007		DC COMPONENTS	147 476	1.75
1N4007		GENERAL SEMICONDUCTOR
1N4007		LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4007		PANJIT
1N4007		FSC
1N4007		MCC
1N4007		DIC
1N4007		FAIR
1N4007		PHILIPS
1N4007		MIC	94 358	1.30
1N4007		DIOTEC	53 836	2.96
1N4007		ON SEMICONDUCTOR
1N4007		LD
1N4007		JGD
1N4007		MING SHUN
1N4007		MS
1N4007		QUAN-HONG
1N4007		XR
1N4007		GALAXY
1N4007		COMPACT TECHNOLOGY
1N4007		DC COMPONENTS
1N4007		FAIRCHILD	288
1N4007		GENERAL SEMICONDUCTOR	1
1N4007		LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4007		MASTER INSTRUMENT CORPORATION
1N4007		MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
1N4007		ON SEMICONDUCTOR
1N4007		PANJIT	307 692
1N4007		PHILIPS
1N4007		TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
1N4007		YANGJIE SEMICONDUCT
1N4007		Fairchild Semiconductor
1N4007		SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
1N4007		MICROSEMI CORP
1N4007		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N4007		GD
1N4007		JC
1N4007		KINGTRONICS
1N4007		YJ	172 089	1.30
1N4007		DIODES INC.
1N4007		MIG
1N4007		MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
1N4007		MOTOROLA
1N4007		YJ ELE-NIC CORP
1N4007		RECTIFIER
1N4007		EXTRA COM-NTS
1N4007		GALAXY ELECTRICAL
1N4007		GEMBIRD
1N4007		ТОМИЛИНО
1N4007		EXTRA
1N4007		КИТАЙ	800	6.12
1N4007		DIOTEC SEMICONDUCTOR
1N4007		MD
1N4007			1 807	3.52
1N4007		ONS-FAIR
1N4007		ONS
1N4007		ELZET
1N4007		GALAXY ME
1N4007		LGE	2 360	1.69
1N4007		HOTTECH	90 879	1.23
1N4007		KLS	120 000	1.97
1N4007		YS
1N4007		YANGJIE	180 000	1.56
1N4007		YANGJIE (YJ)
1N4007		MC
1N4007		FAIRCHILD
1N4007		WUXI XUYANG	3 661	1.94
1N4007		KUU	4	1.10 >100 шт. 0.55
1N4007		CHINA	15 337	1.02
1N4007		SUNRISETRON
1N4007		UNKNOWN
1N4007		BILIN
1N4007		KEHE
1N4007		1
1N4007		BL
1N4007		SUNTAN	106 250	1.97
1N4007		TWGMC	12	1.38 >500 шт. 0.46
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	PHILIPS
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	DC COMPONENTS
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	DIOTEC	14 464	2.14
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	NXP
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	ON SEMICONDUCTOR	1 600
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	OTHER	4
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...		33 607	1.13
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	KEC
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	КИТАЙ
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	CJ
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	ON SEMICONDUCTOR
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	LGE	6 160	2.16
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	HOTTECH	88 000	1.97
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	KLS
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	SEMTECH
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	KLS EL
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	NEX-NXP	1 760	16.73
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	CHINA
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	ASEMI
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	1
BC547C	Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=625mW, B=420-800@I=2mA, ...	KOME	81	2.21
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERNATIONAL RECTIFIER	4	321.30
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	VISHAY
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W		2	272.40
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IXYS
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	Vishay/Siliconix
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	STMicroelectronics
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	КИТАЙ
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTRESIL
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	INTERSIL
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	IR/VISHAY	12	188.93
IRFP450	Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W	1
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	102.00
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...		332	21.96
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	DMS
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	МЕКСИКА
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INFINEON
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	24
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	1
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	MINOS	1 328	25.43
IRFZ44N	N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	EVVO	224	19.69
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	400	43.35
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	1 256	13.06

FR303

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Диоды

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают: