TL2843BDR-8

Версия для печати

Технические характеристики TL2843BDR-8

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
PWM Type	Current Mode
Число выходов	1
Частота -макс.	500kHz
Duty Cycle	100%
Напряжение питания	8.2 V ~ 30 V
Buck	Нет
Boost	Да
Flyback	Да
Inverting	Нет
Doubler	Нет
Divider	Нет
Cuk	Нет
Isolated	Нет
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1206-1.0 1%	ЧИП - резистор 1Ом, 1%, 0.25Вт, 125С		2 864	1.36 >100 шт. 0.68
1206-33 5%	ЧИП — резистор		40	0.96 >500 шт. 0.32
IRF3710S	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3710S	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...		1 248	61.49
IRF3710S	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	20
IRF3710S	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...	КИТАЙ
IRF3710S	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...	INFINEON
IRF3710S	Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 ...	EVVO	534	54.23
IRF3710SPBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A D2-Pak	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3710SPBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A D2-Pak	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3710SPBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A D2-Pak	INFINEON
IRF3710SPBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 100 В, Rоткр = 0.025 Ом, Id(25°C) = 57A D2-Pak
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	600	423.12
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
W27C512-45Z	Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80