|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS32L,115 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS32L,115 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BAS32L,115 |
|
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAS32L,115 |
|
|
NEX
|
12 900
|
3.41
|
|
|
|
BAS32L,115 |
|
|
|
24
|
|
|
|
|
BAS32L,115 |
|
|
NEX-NXP
|
1 202
|
10.33
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 255
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
18 957
|
2.24
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
324
|
1.52
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 008
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
3 807
|
1.38
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
782 474
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
720 842
|
1.29
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 644
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
97 816
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1 058.02
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
DIODES
|
932
|
35.21
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
MCC
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
YJ
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
FSC
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
ONS
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
|
|
34.80
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF10M |
|
Диодный мост DIP 1A 1000V
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
TSR-3386P-103R |
|
|
SUNTAN
|
2 959
|
22.51
|
|
|
|
TSR-3386P-103R |
|
|
|
|
|
|
|
|
ЧИП 1206 12.0K 5% (0603Х4) |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
ЧИП 1206 12.0K 5% (0603Х4) |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ЧИП 1206 12.0K 5% (0603Х4) |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|