IRG7PH42UD1-EP

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIRCHILD
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	Fairchild Semiconductor
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FSC
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIR
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIRCHILD
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONSEMICONDUCTOR
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONS	256	442.80
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONS-FAIR
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A	ON SEMICONDUCTOR	2	20.00
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A	VISHAY
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A			48.64
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A	ONS	8	59.04
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A	ON SEMICONDUCTOR	32
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A	ON SEMICONDUCTO
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A	ONSEMICONDUCTOR
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A	ONSEMI	16	14.75
MBRS1100T3G	SMD диод Шоттки 100V 1A	FUXIN	3 723	7.75
VS-80EBU04		VISHAY	200	373.92
VS-80EBU04				300.12
VS-80EBU04		VISHAY/IR
С5-37В 5 3.3К +5%
С5-37В 5 3.3К +5%		ЭЛЕКОМ