BF862,215
|
JFET N-CHAN 20V SOT-23 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | N-Channel JFET |
| Current Rating | 25mA |
| Номинальное напряжение | 20V |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805-NP0-100-2.2ПФC | EPCOS |
|
|
|||||
| 0805-NP0-100-2.2ПФC | HITANO |
|
|
|||||
| 0805-NP0-100-2.2ПФC | TDK (EPCOS) |
|
|
|||||
| 2SC2712 GR | TOS |
|
|
|||||
| 2SC2712 GR |
|
|
||||||
 |
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | BOURNS | 1 120 | 216.48 | ||
|
|
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... |
|
|
|||
| BAS416,115 | NXP |
|
|
|||||
| BAS416,115 | NXP Semiconductors |
|
|
|||||
| BAS416,115 | NEX |
|
|
|||||
| BAS416,115 | NXP |
|
|
|||||
| FKP2O100331D00JSSD | WIM |
|
|
|||||
| FKP2O100331D00JSSD |
|
|
