| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
FOD814 |
|
Фототранзисторный оптрон с аналоговым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FOD814 |
|
Фототранзисторный оптрон с аналоговым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FOD814 |
|
Фототранзисторный оптрон с аналоговым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур
|
|
|
|
|
|
|
|
FOD814 |
|
Фототранзисторный оптрон с аналоговым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
|
FOD814 |
|
Фототранзисторный оптрон с аналоговым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
FOD814 |
|
Фототранзисторный оптрон с аналоговым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FOD814 |
|
Фототранзисторный оптрон с аналоговым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FOD814 |
|
Фототранзисторный оптрон с аналоговым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FOD814 |
|
Фототранзисторный оптрон с аналоговым входом, с расширенным диапазоном рабочих температур
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
KBPC610 ДИОДНЫЙ МОСТ 6A 1000V |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
KBPC610 ДИОДНЫЙ МОСТ 6A 1000V |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TLP181GB |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
TLP181GB |
|
|
|
2 373
|
40.48
|
|
|
|
|
TLP181GB |
|
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
TLP181GB |
|
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
TLP181GB |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
|
789
|
14.00
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
16.83
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ПЛАНЕТА
|
800
|
11.73
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
БРЯНСК
|
2 875
|
16.20
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
МИНСК
|
1 720
|
15.60
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
1
|
4.29
|
|
|
|
|
ТП-121-9 |
|
|
КОМПЛЕКС
|
|
|
|
Версия для печати
