MBRF10100CT


Купить MBRF10100CT по цене 16.93 руб.  (без НДС 20%)
MBRF10100CT Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
MBRF10100CT 920 16.93 
MBRF10100CT (KLS) 316 34.07 

Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод шотки
  • Защита от перенапряжения
  • Малая потеря мощности, высокая эффективность
  • Малое падение прямого напряжения
  • Работа на высоких частотах
  • Выдерживает пайку при температуре 260°C в течение 40 сек.
  • Бессвинцовая технология
Версия для печати

Технические характеристики MBRF10100CT

Current - Reverse Leakage @ Vr100µA @ 100V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If850mV @ 5A
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100V
Diode TypeSchottky
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3 Isolated Tab
КорпусITO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MBRF10100CT (Диоды Шоттки)

Сдвоенный, с общим катодом, высоковольтный диод Шотки

Производитель:
Vishay

MBRF10100CT datasheet
377.1 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
AP40T03GP Тип транзистора полевой, МОП n-канальный 30В, 28А, 31,25Вт   APEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
AP40T03GP Тип транзистора полевой, МОП n-канальный 30В, 28А, 31,25Вт     Заказ радиодеталей 306.00 
IRFP460LCPBF Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)   VISHAY 2 904 253.45 
IRFP460LCPBF Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP460LCPBF Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)   VISHAY/IR Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP460LCPBF Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)   SILICONIX Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP460LCPBF Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)     152 334.52 
IRFP460LCPBF Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C)   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MBRF10150CT     KEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MBRF10150CT       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MBRF10150CT     SMSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   ST MICROELECTRONICS 916 66.79 
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...     1 200 41.95 
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
STP6NK60ZFP MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    UF4007 T/B     DC COMPONENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход