TLC555CD
Микросхема timer LinCMOS
|
|
Версия для печати
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Ток выходной | 360µA |
| Напряжение питания | 2 V ~ 15 V |
| Частота | 2.1MHz |
| Тип | 555 Type, Timer/Oscillator (Single) |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequency | 2.1MHz |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
TLC555 (Таймеры) LinCMOS TIMER Также в этом файле: TLC555CD, TLC555CDB, TLC555CDBLE, TLC555CDBR, TLC555CDG4, TLC555CDR, TLC555CDRG4
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N4007 |
|
DC COMPONENTS | 60 497 | 1.78 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FSC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MCC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DIC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIC | 263 423 | 1.40 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC | 77 582 | 2.88 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JGD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MING SHUN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
QUAN-HONG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
XR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
COMPACT TECHNOLOGY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DC COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD | 288 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT | 307 692 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE SEMICONDUCT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICROSEMI CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KINGTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ | 266 021 | 1.48 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIODES INC. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MOTOROLA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ ELE-NIC CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
RECTIFIER |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA COM-NTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ELECTRICAL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GEMBIRD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТОМИЛИНО |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
КИТАЙ | 800 | 6.12 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
183 154 |
1.88 >100 шт. 0.94 |
|||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS-FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ELZET |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ME |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LGE | 63 261 | 1.97 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
HOTTECH | 88 759 | 1.21 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
KLS | 4 720 | 2.95 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE | 9 600 | 1.57 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE (YJ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
WUXI XUYANG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KUU |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
CHINA | 15 317 | 1.02 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNRISETRON |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
UNKNOWN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BILIN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KEHE |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
1 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNTAN | 93 724 | 2.02 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
TWGMC | 75 760 |
1.47 >500 шт. 0.49 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
CTK |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JUXING | 125 | 2.37 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ASEMI | 16 103 | 1.20 | ||
 |
|
IRFB18N50KPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (500V, 17A, 220W, 0.26R) | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFB18N50KPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (500V, 17A, 220W, 0.26R) | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFB18N50KPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (500V, 17A, 220W, 0.26R) | VISHAY/IR |
|
|
|
|
|
|
IRFB18N50KPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (500V, 17A, 220W, 0.26R) |
|
|
||
| К50-29-25-10 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 25 В |
|
103.00 | ||||
| К50-29-25-10 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 25 В | ВКЗ |
|
|
|||
 |
КП302А1 | 957 | 20.40 | |||||
|
|
КП302А1 | ВИННИЦА |
|
|
||||
| МБГЧ-1-2Б-750-1 10% |
|
Металлобумажный конденсатор 1 мкФ 750 В |
|
409.60 | ||||
| МБГЧ-1-2Б-750-1 10% |
|
Металлобумажный конденсатор 1 мкФ 750 В | СИБКОНД |
|
|
|||
| МБГЧ-1-2Б-750-1 10% |
|
Металлобумажный конденсатор 1 мкФ 750 В | НЗК |
|
|
