ISL9K3060G3

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
ISL9K3060G3 (ONS)	3	535.29

DIODE DUAL 600V 30A TO-247

Версия для печати

Технические характеристики ISL9K3060G3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Lead Frame Change 20/Dec/2007
Серия	Stealth™
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	2.4V @ 30A
Current - Reverse Leakage @ Vr	100µA @ 600V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Reverse Recovery Time (trr)	45ns
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Through Hole, Radial
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

ISL9K3060G3 datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AD8183ARUZ	2 MUX 2	ANALOG DEVICES	6	560.94
AD8183ARUZ	2 MUX 2	Analog Devices Inc
AD8183ARUZ	2 MUX 2
AD8183ARUZ	2 MUX 2	ANALOG
AD8183ARUZ	2 MUX 2	ANALOG DEVICES
FGH60N60SFDTU		Fairchild Semiconductor
FGH60N60SFDTU
FGH60N60SFDTU		FAIR
FGH60N60SFDTU		FAIRCHILD
FGH60N60SFDTU		FSC
FGH60N60SFDTU		FAIRCHILD
FGH60N60SFDTU		ONS
FGH60N60SFDTU		ONS-FAIR
IKW40N120T2FKSA1		INFINEON
IKW40N120T2FKSA1			120	412.42
IRG4PF50W	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PF50W	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz			377.52
IRG4PF50W	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz	МЕКСИКА
IRG4PF50W	Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz	INFINEON
IXSK30N60BD1		IXYS