Версия для печати
Технические характеристики RL207

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free by exemption / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 2A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V (1kV)
Current - Average Rectified (Io)	2A
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 1000V
Diode Type	Standard
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	DO-204AC, DO-15, Axial
Корпус	DO-15

RL207G (Диоды и выпрямители) General Purpose Plastic Rectifier Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts, Forward Current - 2.0 Amperes Производитель: Shanghai Lunsure //www.cnelectr.com RL207 datasheet 141.26Kb 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4006		Диод 1А, 800В	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4006		Диод 1А, 800В	MIC
		1N4006		Диод 1А, 800В	FAIR
		1N4006		Диод 1А, 800В	GENERAL INSTRUMENT
		1N4006		Диод 1А, 800В	ON SEMICONDUCTOR
		1N4006		Диод 1А, 800В	FSC
		1N4006		Диод 1А, 800В	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4006		Диод 1А, 800В	MOTOROLA
		1N4006		Диод 1А, 800В	FAIRCHILD
		1N4006		Диод 1А, 800В	FAIRCHILD	2 113
		1N4006		Диод 1А, 800В	GENERAL INSTRUMENT
		1N4006		Диод 1А, 800В	GENERAL SEMICONDUCTOR	2 230
		1N4006		Диод 1А, 800В	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4006		Диод 1А, 800В	MOTOROLA	1 040
		1N4006		Диод 1А, 800В	ON SEMICONDUCTOR
		1N4006		Диод 1А, 800В	DIODES INC.	2 063
		1N4006		Диод 1А, 800В	Fairchild Semiconductor
		1N4006		Диод 1А, 800В	Micro Commercial Co
		1N4006		Диод 1А, 800В	MICROSEMI CORP
		1N4006		Диод 1А, 800В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4006		Диод 1А, 800В	КИТАЙ
		1N4006		Диод 1А, 800В	DIOTEC	1 040	4.65
		1N4006		Диод 1А, 800В		268	5.04
		1N4006		Диод 1А, 800В	DC COMPONENTS	49 826	1.39
		1N4006		Диод 1А, 800В	MD
		1N4006		Диод 1А, 800В	ONS
		1N4006		Диод 1А, 800В	ONS-FAIR
		1N4006		Диод 1А, 800В	MASTER INSTRUMENT	532	4.54
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	NXP	1 789	3.33
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	CHENMKO ENTERPRISE
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	FAIR
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	MICRO SEMICONDUCTOR
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	PHILIPS	532	4.91
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	DC COMPONENTS	8 328	1.92
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	DIOTEC	27 610	2.96
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	LI-SION TECHNOLOGY
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...		559	7.40
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	FAIRCHILD
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	GALAXY	100	3.24
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	MCC
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	FAIRCHILD	4 762
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	LI-SION TECHNOLOGY INC.	1 848
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	NXP	3 192
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	OTHER	4 841
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	PHILIPS
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	Fairchild Semiconductor
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	MICROSEMI CORP
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	КИТАЙ
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	UTC
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	ONS-FAIR
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	ONS
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	GALAXY ME
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	HOTTECH	388 520	1.52
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	LRC
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	KLS
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	KOME	2	2.96
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	PANJIT
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	SUNTAN	13	1.29
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR	1 298
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	SEMTECH	1	2.41
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	WUXI XUYANG	832	2.03
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	YJ	385 188	1.25
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	CJ	804	1.47
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	1
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	JSCJ	158 477	1.38
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	JINGDAO
		BAT54C		2 диода Шоттки (общий катод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to ...	JSMICRO	50 400	1.01
		FAN7930BM			Fairchild Semiconductor
		FAN7930BM			FSC1
		FAN7930BM			ONS
		FAN7930BM
		FCPF20N60		600v n-channel mosfet	FAIR
		FCPF20N60		600v n-channel mosfet	FSC
		FCPF20N60		600v n-channel mosfet	FAIRCHILD
		FCPF20N60		600v n-channel mosfet	Fairchild Semiconductor
		FCPF20N60		600v n-channel mosfet
		FCPF20N60		600v n-channel mosfet	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		FCPF20N60		600v n-channel mosfet	FSC1
		FCPF20N60		600v n-channel mosfet	ONS	108	579.49
		FCPF20N60		600v n-channel mosfet	ONS-FAIR
		FCPF20N60		600v n-channel mosfet	ON SEMICONDUCTOR
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ		6 592	4.05
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	БРЕСТ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	П/П 1
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСК
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	RUS
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	СЗТП
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН	9 120	13.44
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	РОССИЯ
		КД521А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"