BCV46E6327HTSA1

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FR207 (2A 1000V)
LTV817B	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	LINEAR TECHNOLOGY
LTV817B	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	LITE-ON
LTV817B	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	LIT
LTV817B	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA			26.28
LTV817B	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA	КИТАЙ
LTV817B	Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
UF5408 (3А 1000В)	Диод 1000V, 3A, 75nS	DC COMPONENTS
UF5408 (3А 1000В)	Диод 1000V, 3A, 75nS
КС175А2 СТ.		НОВОСИБИРСК
КС175А2 СТ.		САРАНСК	1 595	2.40
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт		652	26.95
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	КРЕМНИЙ	1 020	35.70
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	БРЯНСК	1 939	32.00
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	МИНСК
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	УЛЬЯНОВСК
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	ИНТЕГРАЛ