FQPF8N80C
800v n-channel mosfet
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55 Ohm @ 4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2050pF @ 25V |
| Power - Max | 59W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус | TO-220F |
| Product Change Notification | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FQPF8N80C (MOSFET) 800V N-Channel MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
 | В7-41 В7-41 предназначен для измерения основных электрических величин: напряжения постоянного и переменного тока, силы постоянного и переменного тока, а так... 21240.00 руб Купить |
 | PHB160NQ08T N-канальный trenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet Купить |
 | HDLU-1414 Малопотребляющий 4-х символьный 5х7 точек алфавитно-цифровой интеллектуальный светодиодный индикатор, высота символа 3.7 мм Купить |
