|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
YJ
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
|
359
|
24.05
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
MIC
|
4 700
|
12.31
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
HOTTECH
|
8 260
|
9.41
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
YIXING
|
4 000
|
8.98
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BC547 |
|
Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
|
JSCJ
|
39 096
|
1.65
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
|
|
6.36
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 416
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
PHILIPS
|
152
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
HOTTECH
|
28 460
|
6.17
|
|
|
|
BC639 |
|
Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
JSCJ
|
8 289
|
2.00
|
|
|
|
CC0402JRNPO9BN330 |
|
Керамический конденсатор 33 пФ 50 В
|
YAGEO
|
4 861 664
|
0.70
>1000 шт. 0.14
|
|
|
|
CC0402JRNPO9BN330 |
|
Керамический конденсатор 33 пФ 50 В
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC0402JRNPO9BN330 |
|
Керамический конденсатор 33 пФ 50 В
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC0402JRNPO9BN330 |
|
Керамический конденсатор 33 пФ 50 В
|
YAGEO
|
160 000
|
|
|
|
|
CC0402JRNPO9BN330 |
|
Керамический конденсатор 33 пФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
GRM155R60J474KE19D |
|
|
MURATA
|
12 630
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
GRM155R60J474KE19D |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
GRM155R60J474KE19D |
|
|
|
|
157.12
|
|
|
|
GRM155R60J474KE19D |
|
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
GRM155R60J474KE19D |
|
|
MUR
|
33 011
|
0.75
>1000 шт. 0.15
|
|