2N7002A
N-channel enhancement mode field effect transistor
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
2N7002A (KEC AMERICA (USD).) |
520 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики 2N7002A
| Полярность | N |
| Каналов,шт | 1 |
| VDSS,В | 60 |
| RDS(ON) 10 В,мОм | 3000 |
| ID,А | 0.115 |
| PWT,Вт | 0.25 |
| Корпус | SOT-23-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
2N7002A (MOSFET)
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
Производитель:
Diodes Incorporated
|
