Версия для печати
Технические характеристики 2N3440

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	250V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 20mA, 10V
Power - Max	1W
Frequency - Transition	15MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Корпус	TO-39

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3439		Транзистор S-N 450В 1A TO5		26	139.04
		2N3439		Транзистор S-N 450В 1A TO5	ST MICROELECTRONICS
		2N3439		Транзистор S-N 450В 1A TO5	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N3439		Транзистор S-N 450В 1A TO5	STMicroelectronics
		2N3439		Транзистор S-N 450В 1A TO5	Microsemi Commercial Components Group
		2N3439		Транзистор S-N 450В 1A TO5	MULTICOMP	208	181.54
		2N3439		Транзистор S-N 450В 1A TO5	ST MICROELECTRO
		2N3439		Транзистор S-N 450В 1A TO5	MOTOROLA	80	70.00
		BF258		Транзистор			15.20
		BF258		Транзистор	TESLA	1	80.00

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5416		Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5			108.00
		2N5416		Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5	ST MICROELECTRONICS
		2N5416		Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5	PHILIPS
		2N5416		Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5	PHILIPS
		2N5416		Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N5416		Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5	STMicroelectronics
		2N5416		Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5	ST MICROELECTRO
		2N5416		Транзистор S-P 350В 1A 50МГц TO5	MULTICOMP
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	NXP
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	PHILIPS
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	MOTOROLA
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	FAIR
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	DIC
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	DIOTEC
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	DC COMPONENTS	17 349	3.04
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	MOTOROLA
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	PHILIPS	88
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	MCC
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	КИТАЙ
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	ONS
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	ON SEMIC
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	FSC
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...		12	12.00
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	KLS	3 182	2.06
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	LGE
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	1
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	HOTTECH
		BC337-25		Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=45V, Ic=0.8A, P=625mW, ...	SEMTECH	16	2.82
		BD243C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 6A 65W	ST MICROELECTRONICS
		BD243C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 6A 65W	FAIR
		BD243C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 6A 65W	ON SEMICONDUCTOR
		BD243C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 6A 65W	FAIRCHILD
		BD243C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 6A 65W			40.76
		BD243C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 6A 65W	FAIRCHILD
		BD243C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 6A 65W	ON SEMICONDUCTOR
		BD243C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 6A 65W	Fairchild Semiconductor
		BD243C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 6A 65W	STMicroelectronics
		BD243C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 6A 65W	КИТАЙ
		BD243C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 6A 65W	ST MICROELECTRONICS SEMI	22
		BD243C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 6A 65W	FSC
		BD243C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 6A 65W	ST1
		BD243C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 6A 65W	ST MICROELECTRO
		BD243C		Транзистор биполярный большой мощности NPN 100V 6A 65W	ONS
		H11D1		Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA	FAIR
		H11D1		Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA	QT OPTOELECTRONICS
		H11D1		Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA			56.96
		H11D1		Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA	QT OPTOELECTRONICS
		H11D1		Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA	Lite-On Inc
		H11D1		Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA	Vishay/Semiconductors
		H11D1		Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA	Fairchild Optoelectronics Group
		H11D1		Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA	FAIRCHILD
		H11D1		Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA	FAIRCHILD
		H11D1		Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA	VISHAY
		H11D1		Оптрон 1-канальный, Uiso_peak=7.5kV, Uceo=300V, CurTr(min)=20%10mA	QTC
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	ON SEMICONDUCTOR
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	MOTOROLA
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	NSC	266	96.90
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	ONS
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	MOTOROLA
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	ON SEMICONDUCTOR
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	OTHER
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	NATIONAL SEMICONDUCTOR	16
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	Linear Technology
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	МАЛАЙЗИЯ
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	ФИНЛЯНДИЯ
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	TEXAS
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm			48.44
		LM385Z-1.2		Источник опорного напряжения 1,235V, +-2%, 80ppm	TEXAS INSTRUMENTS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"