PSMN1R6-30PL

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PSMN1R6-30PL (NXP.)	762	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PSMN1R6-30PL

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	100A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	212nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	12493pF @ 12V
Power - Max	306W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PSMN1R6-30PL (MOSFET)

N-channel 30 V 1.7 m? logic level MOSFET

Производитель:
NXP

PSMN1R6-30PL datasheet
225.3 Кб