RT1206BRE071KL
|
RES 1.00K OHM 1/8W .1% SMD 1206 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | RT |
| Сопротивление (Ом) | 1K |
| Мощность (Ватт) | 0.125W, 1/8W |
| Composition | Thin Film |
| Температурный коэфициент | ±50ppm/°C |
| Допустимые отклонения емкости | ±0.1% |
| Tolerance | ±0.1% |
| Size / Dimension | 0.122" L x 0.063" W (3.10mm x 1.60mm) |
| Высота | 0.026" (0.65mm) |
| Number of Terminations | 2 |
| Корпус (размер) | 1206 (3216 Metric) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CC1206JRNPO9BN102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф,NP0, 5%, 50В, 1206 | PHYCOMP |
|
|
||
|
|
CC1206JRNPO9BN102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф,NP0, 5%, 50В, 1206 | PHYCOMP |
|
|
||
|
|
CC1206JRNPO9BN102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф,NP0, 5%, 50В, 1206 | YAGEO | 81 500 | 1.54 | ||
|
|
CC1206JRNPO9BN102 |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1000пф,NP0, 5%, 50В, 1206 |
|
|
|||
| RT0805BRD0710KL | YAGEO | 111 294 | 2.14 | |||||
| RT0805BRD0710KL |
|
|
||||||
| RT0805BRD071ML | YAGEO | 12 216 | 3.15 | |||||
| RT0805BRD071ML |
|
|
||||||
 |
 |
RT1206BRE0710KL |
|
Yageo | 4 | 37.79 | ||
|
|
|
RT1206BRE0710KL |
|
|
|
|||
 |
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный | 390 | 89.25 | ||
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный | КРЕМНИЙ | 26 | 79.05 | |
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный | БРЯНСК | 512 | 112.00 | |
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный | RUS |
|
|
