Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
MC34063AG- S08-T[R] |
|
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
MC34063AG- S08-T[R] |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MIP2K4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MIP2K4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MIP2K4 |
|
|
PANASONIC
|
|
|
|
 |
 |
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
|
|
422.60
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA2030AV |
|
УНЧ 22В, 80 dB, 8 Ohms
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
|
62 508
|
7.04
|
|
|
|
|
КТ315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
520
|
12.25
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
16.83
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
2 844
|
16.00
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
