OPA659IDRBT
|
IC OPAMP JFET 650MHZ SGL 8SON
|
Версия для печати
Технические характеристики OPA659IDRBT
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип усилителя | J-FET |
| Число каналов | 1 |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 2550 V/µs |
| Полоса пропускания | 350MHz |
| Полоса пропускания -3Дб | 650MHz |
| Ток - входного смещения | 10pA |
| Напряжение входного смещения | 1000µV |
| Ток выходной | 32mA |
| Ток выходной / канал | 70mA |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | ±3.5 V ~ 6.5 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-VDFN Exposed Pad |
| Корпус | 8-SON Exposed Pad (3x3) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
