IRFIZ24N


Hexfet power mosfets discrete n-channel

Купить IRFIZ24N ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRFIZ24N
Версия для печати

Технические характеристики IRFIZ24N

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs70 mOhm @ 7.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C14A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds370pF @ 25V
Power - Max29W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3 Full Pack
КорпусTO-220AB Full-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFIZ24N (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFIZ24N datasheet
213.7 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход