CSD86330Q3D
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
CSD86330Q3D (TEXAS INSTRUMENTS.) |
1 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
|
Версия для печати
Технические характеристики CSD86330Q3D
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | NexFET™ |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6 mOhm @ 14A, 8V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 920pF @ 12.5V |
| Power - Max | 6W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-LDFN |
| Корпус | 8-SON (3.3x3.3) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
