Версия для печати
Технические характеристики FSDM0365RN

Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	25°C ~ 140°C
Мощность (Ватт)	30W
Напряжение выходное	650V
Напряжение входное	8 V ~ 20 V
Частотный диапозон	61 ~ 73kHz
Изоляция выхода	Isolated
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Passivation Layer Change 07/Dec/2007

FSDL321 Green Mode Fairchild Power Switch (FPSTM) Также в этом файле: FSDM0365RN Производитель: Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com FSDM0365RN datasheet 914.55Kb 20стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AT25DF161-SH-T			ATMEL
		AT25DF161-SH-T
		AT25DF161-SH-T			ATMEL CORPORATION
		AT25DF161-SH-T			MICRO CHIP
		ICE2B365		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W	INFINEON
		ICE2B365		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W	SAMSUNG
		ICE2B365		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W		1	324.00
		ICE2B365		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W	Infineon Technologies
		ICE2B365		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W		1	324.00
		ICE2B365		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W	США
		ICE2B365		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ICE2B365		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W	1
		M34300N4-012SP		TV пpоцессоp	ST MICROELECTRONICS
		M34300N4-012SP		TV пpоцессоp	MITSUBISHI
		M34300N4-012SP		TV пpоцессоp			498.08
		M34300N4-012SP		TV пpоцессоp	MIT
		M34300N4-012SP		TV пpоцессоp	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		3 980	48.26
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
		ИЗОЛЕНТА 15MM66M ДЛЯ ТРАНС.			BARNIER
		ИЗОЛЕНТА 15MM66M ДЛЯ ТРАНС.			SCAPA
		ИЗОЛЕНТА 15MM66M ДЛЯ ТРАНС.					1 482.08

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"