SPB02N60C3


Купить SPB02N60C3 по цене 90.44 руб.  (без НДС 20%)
SPB02N60C3
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
SPB02N60C3 цена радиодетали 90.44 
SPB02N60C3 (INFINEON.) 496 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SPB02N60C3

КорпусPG-TO263-3
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажаПоверхностный
Power - Max25W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs12.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 80µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3 Ohm @ 1.1A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияCoolMOS™
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SPP02N60C3 (Мощные полевые МОП транзисторы)

Cool MOSTM Power Transistor

Также в этом файле: SPB02N60C3

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SPB02N60C3 datasheet
283.23Kb
12стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход