CSD25401Q3

Версия для печати

Технические характеристики CSD25401Q3

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS compliant by exemption
Серия	NexFET™
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.7 mOhm @ 10A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	60A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1400pF @ 10V
Power - Max	2.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SON
Корпус	8-SON

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

CSD25401Q3 (MOSFET)

P-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs

Производитель:
Texas Instruments

CSD25401Q3 datasheet
577.1 Кб