| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
3ОД101А |
|
|
|
84
|
142.80
|
|
|
|
|
3ОД101А |
|
|
ТАНТАЛ
|
347
|
87.58
|
|
|
|
|
3ОД101А |
|
|
ОПТРОН
|
|
|
|
|
|
|
3ОД101А |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
L-34SF7BT ИК-СВЕТОДИОД 850НМ. 50°. 45МВТ |
|
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
|
L-34SF7BT ИК-СВЕТОДИОД 850НМ. 50°. 45МВТ |
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
|
|
63.88
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
HOTTECH
|
840
|
46.73
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ZH
|
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
FAIRCHILD
|
12
|
19.52
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ZHONGDI
|
|
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
БРЯНСК
|
798
|
126.00
|
|
|
|
|
MJE13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности 400В, 16А, 80Вт, 4МГц
|
ISC
|
780
|
64.91
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SGS
|
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
532
|
43.35
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
|
21.28
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
HTC TAEJIN
|
800
|
25.58
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
HTC
|
1 005
|
20.85
|
|
|
|
|
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...
|
|
1 748
|
18.00
|
|
|
|
|
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
Версия для печати
