G5SB1424DC

Версия для печати

Технические характеристики G5SB1424DC

Производитель	Omron Corporation - Electronic Components
Тип реле	Силовое
Управляющее напряжение	24 В
Мощность катушки	0.4 Вт
Рабочая температура	-40...70 °C
Тип контактов	1C
Нагрузка по постоянному току	5A/30VDC
Нагрузка по переменному току	5A/250VAC
Напряжение изоляции катушка-контакты	4000 В
Тип выводов	в отверстия
Герметичность корпуса (степень защиты от флюса)	герметичное
Размер	20.3x10.3x15.8 мм
Объём	3.304 см3
Площадь	2.091 см2

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIR
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	INFINEON
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NXP
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS	800	6.80
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	DC COMPONENTS	11 209	2.14
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD	1 511
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 245
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NXP	9 632
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS	3 040
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	MCC
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	Fairchild Semiconductor
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	КИТАЙ
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	INFINEON TECH
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	GALAXY
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS SEMIC
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	DIOTEC
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	ONS
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)		16 266	1.96 >100 шт. 0.98
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	MICRO COMMERCIA
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	ONS-FAIR
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NEXPERIA
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	GALAXY ME
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	HOTTECH	238 546	1.82 >100 шт. 0.91
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHI
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	LRC
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NEX-NXP
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PANJIT	32 000
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	KLS	40	1.46
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	YOUTAI	5 636	1.05
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	JSCJ	49 290	1.03
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	YJ	408 447	1.76 >100 шт. 0.88
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	YANGJIE	24 000	1.08
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	MIC	38 400	1.96 >100 шт. 0.98
BAS21	Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NSP	5 273	2.10
G5NB1AE24DC		OMRON
G5NB1AE24DC
IRF540NPBF	Полевой транзистор N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.044 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF540NPBF	Полевой транзистор N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.044 ...			56.84
IRF540NPBF	Полевой транзистор N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.044 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF540NPBF	Полевой транзистор N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.044 ...	INFINEON	8 252	40.29
IRFB4227	Транзистор N- канальный MOSFET, 190Вт, 200В, 130А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB4227	Транзистор N- канальный MOSFET, 190Вт, 200В, 130А			580.00
IRFB4227	Транзистор N- канальный MOSFET, 190Вт, 200В, 130А	INFINEON
NCP1237AD65R2G		ONS
NCP1237AD65R2G		ON Semiconductor
NCP1237AD65R2G
NCP1237AD65R2G		4-7 НЕДЕЛЬ	719

ADUM1201AR
Цифровой изолятор (гальван.развязка), 2канала, прямой/обратный канал=1/1, 1Mбит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, Uп=2.7...5.5В, Iп.макс=2.2мА, ...
Купить

KAQV214
Твердотельное оптореле c mosfet выходом, нормально разомкнутое (400В/0.13А 0.6W -30..+85C 3.75kV N/Opened)
83.57 руб Купить

SA18-11YWA
7-сегментный цифровой индикатор с высотой символа 44.5мм (1.75 дюйма) Высота символа 44.5мм (1.75 дюйма). Малый ток потребления Легко устанавливает...
Купить