1N4448

Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
1N4448 (DC COMPONENTS)	15 221	1.46
1N4448 (DIOTEC)	8 125	1.56
1N4448 (NXP.)	5 698	3-4 недели Цена по запросу
1N4448 (MIC)	4	1.19
1N4448	70 898	1.56 >100 шт. 0.78
1N4448 (YJ)	2 848	2.00 >100 шт. 1.00
1N4448 (MIG)	25 519	2.00 >100 шт. 1.00
1N4448 (WUXI XUYANG)	4 380	2.27
1N4448 (SEMTECH)	41 523	1.94 >100 шт. 0.97

Импульсный малосигнальный диод. Выполнен в стеклянном цилиндрическом корпусе с гибкими проволочными выводами.

Версия для печати

Технические характеристики 1N4448

Current - Average Rectified (Io)	200mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 100mA
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус	DO-35
Корпус (размер)	DO-204AH, DO-35, Axial
Тип монтажа	Выводной
Capacitance @ Vr, F	2pF @ 0V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr)	4ns
Скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Diode Type	Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 75V
Product Change Notification	Marking Format Change 15/Aug/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

1N4448

Switching Diode

Производитель:
Rohm
//www.rohm.com

1N4448 datasheet
60.39Kb
2стр.

Синонимы от поставщиков: 1N4448 ; 1N-4448 ; 1N 4448 ; 1N — 4448 ; 1N4448 ; диод 1N4448 ;

Аналоги:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ		8 088	3.85
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	БРЕСТ
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	П/П 1
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСК
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	RUS
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	СЗТП
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН	9 840	12.74
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	РОССИЯ
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	296 913	2.29
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	64 804	2.50
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		64 874	1.40 >100 шт. 0.70
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	325
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	4 345
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	6.63
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	128 399	1.64 >100 шт. 0.82
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS	568	1.75
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	1	1.56
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	368	1.75
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	13 257	2.08
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	232 800	1.30
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	1 227 723	1.31
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	427 115	1.39
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	128 000	1.96 >100 шт. 0.98
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	1 016 508	2.00 >100 шт. 1.00
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO	36 704	1.50 >100 шт. 0.75
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
BAV99	2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN	1 910	1.60
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA	FAIR
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA	PHILIPS
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA	DC COMPONENTS
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA	VISHAY
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA	FAIRCHILD
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA	FAIRCHILD
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR	8 000
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA	PHILIPS
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA	GALAXY
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA	Fairchild Semiconductor
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA	КИТАЙ
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA	GALAXY ME
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA		40	1.07
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA	HOTTECH
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA	1
BZX55C13	Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=13V, Izt-5mA	YIXING	15 600	1.54 >100 шт. 0.77
КТ230А9		КРЕМНИЙ	840	13.77
КТ230А9		БРЯНСК	8 668	2.00
КТ230А9
КТ233А9		КРЕМНИЙ	800	13.77
КТ233А9		БРЯНСК
КТ233А9
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		11 804	39.38
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	12 899	44.00
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 520	108.24
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ

1N4448

Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Диоды

Диоды, выпрямители - одиночные

Аналоги:

С этим товаром покупают: