|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0603-NP0-100PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 100пФ, 50В, 0603
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
0603-NP0-100PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 100пФ, 50В, 0603
|
|
|
1.60
>100 шт. 0.80
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
400
|
9.83
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
|
14 029
|
1.97
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
TAK CHEONG ELECTRONICS
|
932
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
SUNTAN
|
465
|
2.94
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
1 199
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
121 655
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
|
9 120
|
1.97
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
YJ
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4738A |
|
Стабилитрон 8.2В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
|
|
61.20
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
13
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
KLS
|
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
HOTTECH
|
131 348
|
14.45
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
SMCMICRO
|
|
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
LGE
|
11 483
|
13.52
|
|
|
|
30BQ100 |
|
Диод Шоттки 100В, 3А, SMC
|
KEENSIDE
|
186
|
5.29
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
370 990
|
2.02
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
131 832
|
2.19
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 714
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
4.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
813 733
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
379 276
|
1.28
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.35
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.54
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
12 485
|
1.02
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.15
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 048 885
|
1.11
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
282 553
|
1.16
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
973 114
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
29 344
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|