VND5N07-E
|
MOSFET N-CH 70V 5A TO252 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | OMNIFET II™ |
| Тип | Low Side |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Число выходов | 1 |
| Сопротивление (On-State) | 200 mOhm |
| Ток - выходной (пиковое значение) | 5A |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | TO-252 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BTA26-600B |
|
Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA | 353 | 114.77 | ||
|
|
|
BTA26-600B |
|
Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA | ST MICROELECTRONICS | 5 097 | 130.00 | |
|
|
|
BTA26-600B |
|
Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA | 1 |
|
|
|
|
|
|
BTA26-600B |
|
Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA | KY | 15 | 56.64 | |
| IPD053N08N3 G | INFINEON |
|
|
|||||
| IPD053N08N3 G | Infineon Technologies |
|
|
|||||
|
|
TPS54060DGQR |
|
Texas Instruments |
|
|
|||
|
|
TPS54060DGQR |
|
|
|
||||
|
|
TPS54060DGQR |
|
TEXAS INSTRUMENTS | 1 538 |
|
|||
|
|
TPS54060DGQR |
|
TEXAS |
|
|
