VND5N07-E
|
MOSFET N-CH 70V 5A TO252 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | OMNIFET II™ |
| Тип | Low Side |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Число выходов | 1 |
| Сопротивление (On-State) | 200 mOhm |
| Ток - выходной (пиковое значение) | 5A |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | TO-252 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AT24C04N-10SI-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (512x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ... | ATMEL | 247 | 24.00 | ||
|
|
AT24C04N-10SI-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (512x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ... |
|
29.52 | |||
|
|
AT24C04N-10SI-2.7 |
|
Последовательная память EEPROM (512x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ... | ATMEL CORPORATION | 2 256 |
|
||
 |
|
BTA26-600B |
|
Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA | 489 | 103.31 | ||
|
|
|
BTA26-600B |
|
Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA | ST MICROELECTRONICS | 4 358 | 130.00 | |
|
|
|
BTA26-600B |
|
Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA | 1 |
|
|
|
|
|
|
BTA26-600B |
|
Тиристор симметричный 600V, 25A, Igt=50mA | KY | 15 | 50.78 | |
| IPD053N08N3 G | INFINEON |
|
|
|||||
| IPD053N08N3 G | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ 5Х20 1.6А СТ | FUSES | 1 000 | 3.20 |
