Версия для печати
Технические характеристики TIP122G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)	5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	4V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max)	500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 3A, 3V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

TIP122G datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1A7 (1A 1000V)
		1N4007			DC COMPONENTS	60 497	1.78
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	263 423	1.40
		1N4007			DIOTEC	77 582	2.88
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	266 021	1.48
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	6.12
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				183 154	1.88  >100 шт.   0.94
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	63 261	1.97
		1N4007			HOTTECH	88 759	1.21
		1N4007			KLS	4 720	2.95
		1N4007			YS
		1N4007			YANGJIE	9 600	1.57
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA	15 317	1.02
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	93 724	2.02
		1N4007			TWGMC	75 760	1.47  >500 шт.   0.49
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	125	2.37
		1N4007			ASEMI	16 103	1.20
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	DC COMPONENTS	3 850	2.44
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	FAIR
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	MOTOROLA
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	ON SEMICONDUCTOR
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA		10 318	2.00
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	FAIRCHILD
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	FAIRCHILD	8
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	MOTOROLA	1 757
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	ON SEMICONDUCTOR	7 769
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	OTHER	92
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	TAK CHEONG ELECTRONICS
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	Fairchild Semiconductor
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	MICROSEMI CORP
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	КИТАЙ
		1N4750A		Стабилитрон PV=1W, Vz=27V, Izt-9.5mA	KLS	4 000	1.51
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	15.30
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	5 071	4.85
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	4 426	3.67
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		14 400	1.30
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	2 544	1.90
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 600	1.24
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		К561ТЛ1		4 триггера Шмитта с входной логикой 2И-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность ...	ЗПП
		К561ТЛ1		4 триггера Шмитта с входной логикой 2И-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность ...			43.20
		К561ТЛ1		4 триггера Шмитта с входной логикой 2И-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность ...	МИНСК
		К561ТЛ1		4 триггера Шмитта с входной логикой 2И-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность ...	ЗПП МИНСК
		К561ТЛ1		4 триггера Шмитта с входной логикой 2И-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность ...	РОДОН
		К561ТЛ1		4 триггера Шмитта с входной логикой 2И-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность ...	ИНТЕГРАЛ
		К561ТЛ1		4 триггера Шмитта с входной логикой 2И-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность ...	КАЛУГА
		К561ТЛ1		4 триггера Шмитта с входной логикой 2И-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность ...	ПАВЛОВ.ПОСАД
		К561ТЛ1		4 триггера Шмитта с входной логикой 2И-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность ...	RUS
		К561ТЛ1		4 триггера Шмитта с входной логикой 2И-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность ...	МИКРОН
		К561ТЛ1		4 триггера Шмитта с входной логикой 2И-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность ...	INTEGRAL

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"