2SC2570A
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SC2570A (Дискретные сигналы) High Frequency Low Noise Amplifier Npn Silicon Epitaxial Transistor Также в этом файле: 2SC2570A-T
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ECAP (К50-35), 0.47 МКФ, 25 В, 85°C | CHANG |
|
|
|||||
| NP0 30PF 5% 50V | SUNTAN |
|
|
|||||
| NP0 30PF 5% 50V | КИТАЙ |
|
|
|||||
| К10-17Б-NPO-82ПФ 50 (5%) |
|
|
||||||
 |
 |
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | 1 032 | 21.88 | ||
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | КРЕМНИЙ | 532 | 35.70 | |
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | БРЯНСК | 61 528 | 30.00 | |
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | САРАНСК |
|
|
|
| СП3-19Б-0.5ВТ-680 ОМ 10% |
|
|
||||||
| СП3-19Б-0.5ВТ-680 ОМ 10% | МОСКВА |
|
|
|||||
| СП3-19Б-0.5ВТ-680 ОМ 10% | ТЕМБР |
|
|
