Версия для печати
Технические характеристики PMST3906

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 1V
Power - Max	200mW
Frequency - Transition	250MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	288 960	2.16
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	138 461	2.38
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		62 874	1.40  >100 шт.   0.70
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	325
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	4 345
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	6.63
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	743 552	1.96  >100 шт.   0.98
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS	560	1.75
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA	381 115	1.29
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	1	1.48
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	342	1.64
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	13 257	1.38
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	232 800	1.24
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	839 240	1.22
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	408 787	1.32
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	120 000	1.96  >100 шт.   0.98
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	1 144 072	1.88  >100 шт.   0.94
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO	31 904	1.50  >100 шт.   0.75
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN	1 910	1.60
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	14 446	2.42
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	27 219	1.15
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		21 056	1.46  >100 шт.   0.73
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	169 147	1.40  >100 шт.   0.70
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	29 600	3.94
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	3 026	1.36
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	1 199 126	1.27
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	2 631	1.60
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	436 508	1.52  >100 шт.   0.76
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEXPERIA	546 964	1.31
		BF620			PHILIPS
		BF620			NXP
		BF620
		BF620			NXP	356
		BF620
		FMMT617TA		Биполярный транзистор PBF SOT23 15В, 3А, 625мВт	ZTX
		FMMT617TA		Биполярный транзистор PBF SOT23 15В, 3А, 625мВт	ZETEX
		FMMT617TA		Биполярный транзистор PBF SOT23 15В, 3А, 625мВт		1 460	22.88
		FMMT617TA		Биполярный транзистор PBF SOT23 15В, 3А, 625мВт	ZETEX
		FMMT617TA		Биполярный транзистор PBF SOT23 15В, 3А, 625мВт	Diodes/Zetex
		FMMT617TA		Биполярный транзистор PBF SOT23 15В, 3А, 625мВт	DI
		FMMT617TA		Биполярный транзистор PBF SOT23 15В, 3А, 625мВт	DIODES
		PHB33NQ20T		N-канальный trenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet	PHILIPS
		PHB33NQ20T		N-канальный trenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet	NXP
		PHB33NQ20T		N-канальный trenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet	NXP
		PHB33NQ20T		N-канальный trenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet	PHILIPS
		PHB33NQ20T		N-канальный trenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"