| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IR2151 |
|
Самотактируемый драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IR2151 |
|
Самотактируемый драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, ...
|
|
|
107.20
|
|
|
|
|
IR2151 |
|
Самотактируемый драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
IR2151 |
|
Самотактируемый драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IR2151 |
|
Самотактируемый драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, ...
|
IR/VISHAY
|
137
|
314.87
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
ВЗПП
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
|
1 380
|
28.93
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INFINEON
|
12
|
51.30
|
|
|
|
|
LM2576T-12 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3A 12В 45VS TO220
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2576T-12 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3A 12В 45VS TO220
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM2576T-12 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3A 12В 45VS TO220
|
|
7
|
237.60
|
|
|
|
|
LM2576T-12 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3A 12В 45VS TO220
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2576T-12 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3A 12В 45VS TO220
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM2576T-12 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3A 12В 45VS TO220
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM2576T-12 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3A 12В 45VS TO220
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM2576T-12 |
|
ИМС Стабилизатор ИМП 3A 12В 45VS TO220
|
HTC TAEJIN
|
640
|
108.24
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
400
|
45.90
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
|
7 723
|
3.26
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
MOTOROLA
|
4
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
24
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
LGE
|
8 800
|
2.95
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
WUXI XUYANG
|
5 040
|
4.30
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
YJ
|
17 007
|
6.51
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
1
|
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
SUNMATE
|
3 120
|
3.35
|
|
|
|
|
MUR160 |
|
Ультрабыстрый диод 600В, 1A, 0.075мкс
|
HOTTECH
|
5 280
|
5.78
|
|
|
|
|
КД270ЕС |
|
|
|
|
86.40
|
|
Версия для печати
