IXFN60N60


Купить IXFN60N60 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFN60N60 MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
Версия для печати

Технические характеристики IXFN60N60

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHiPerFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs75 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C60A
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs380nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds15000pF @ 25V
Power - Max700W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SOT-227-4, miniBLOC
КорпусSOT-227B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IXFN60N60 datasheet
RL205
Диод 2А, 600В
1.40 Р В Р Р‹Р В РІР‚љР РЋРЎвЂњР В Р’В± Р В Р’ РЎв„ўР РЋРЎвЂњР В РЎвЂ”ить
EFM32TG840F8
Сверхмалопотребляющий 32-разрядный микроконтроллер на базе ядра arm cortex-m3
Купить
EP4SGX110DF29I
Fpga семейства stratix iv, 105600 эквивалентных логических элементов, -40...+100°c
Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход