SS94A2
|
Версия для печати
| Ток выходной | 30mA |
| Напряжение питания | 6.6 V ~ 12.6 V |
| Тип | Linear |
| Sensing Range | 5.0mV/G Trip, ±0.1mV/G Release |
| Серия | SS94 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип выхода | Analog, Ratiometric |
| Current - Output (Max) | 1mA |
| Корпус | Ceramic SIP |
| Корпус (размер) | 3-SIP |
| Output Type | Analog, Ratiometric |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт |
|
339.44 | ||
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт | INFINEON |
|
|
|
 |
|
IXZ210N50L |
|
Rf power mosfet | IXYS |
|
|
|
| RD15HVF1-101 | MITSUBISHI |
|
|
|||||
| RD15HVF1-101 | MIT | 272 | 637.71 | |||||
| RD15HVF1-101 |
|
|
