|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
PHILIPS
|
400
|
8.16
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
DC COMPONENTS
|
43
|
3.88
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
DIOTEC
|
28
|
3.94
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
PHILIPS
|
3 060
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
|
53 600
|
1.31
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
MICROSEMI CORP
|
630
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
|
53 600
|
1.31
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
NXP
|
1 648
|
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
INFINEON
|
800
|
8.16
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
YJ
|
19 807
|
1.52
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
JSCJ
|
23 508
|
1.84
|
|
|
|
BAS40-05 |
|
Диода Шоттки (общий катод, Vr=40V, If=0.12A, Ifsm=0,2A@t=10ms, Vf=0.31V@I=1mA, -55 to ...
|
JY
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
|
56 400
|
1.31
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
INFINEON
|
68
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
NXP
|
19 200
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
|
56 400
|
1.31
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
YJ
|
8 857
|
1.09
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
HOTTECH
|
7 040
|
2.40
|
|
|
|
BAS40-06 |
|
Сдвоенные диоды шоттки с общим анодом
|
JSCJ
|
23 659
|
1.06
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
|
78 124
|
1.24
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
800
|
10.20
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DC COMPONENTS
|
14 523
|
2.84
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
UTC
|
40
|
9.63
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
DIOTEC
|
39 568
|
2.40
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NXP
|
2 497
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
HOTTECH
|
140 457
|
1.86
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YJ
|
1 296 329
|
1.51
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
405
|
2.22
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
ZH
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
SUNTAN
|
1 230 679
|
1.10
|
|
|
|
BC817-40 |
|
Транзистор NPN 50В, 800мА, 250мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
RAMTRON
|
1 192
|
147.60
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
RAMTRON INTERNATIONAL CORP
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPR
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
|
3 952
|
91.03
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPRESS
|
16 059
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYP
|
|
|
|
|
|
FM25CL64B-GTR |
|
|
CYPRESS
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP3335ADM330R2G |
|
|
|
|
|
|