| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
|
194
|
4.20
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
2 712
|
4.00
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
1Д507А |
|
Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ
|
ЭЛЕКС
|
976
|
12.24
|
|
|
|
|
Д817Б |
|
металл
|
|
8
|
54.00
|
|
|
|
|
Д817Б |
|
металл
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
Д817Б |
|
металл
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
Д817Б |
|
металл
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
Д817Б |
|
металл
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
 |
КВ109А |
|
2.2-2.7 пФ, добротность 300, 28 В, 10МГц
|
|
3
|
10.80
|
|
|
|
|
КВ109А |
|
2.2-2.7 пФ, добротность 300, 28 В, 10МГц
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
3 576
|
10.80
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
701
|
16.83
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
МП26Б |
|
Транзистор кремниевый германиевый структуры PNP универсальный низкочастотный
|
|
1 294
|
40.80
|
|
|
|
|
МП26Б |
|
Транзистор кремниевый германиевый структуры PNP универсальный низкочастотный
|
ПЛАНЕТА
|
8 146
|
10.00
|
|
|
|
|
МП26Б |
|
Транзистор кремниевый германиевый структуры PNP универсальный низкочастотный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
Версия для печати
